Wat meteen opvalt is een grote formule op de muur, het zogenaamde Rayleigh-criterium: CD = k1 ∙ λ / NA. CD staat voor de minimale grootte van de structuur die kan worden belicht. De golflengte van het licht dat gebruikt wordt om de wafer te belichten is λ. De numerieke apertuur NA is een maat voor hoe goed een optisch systeem licht kan opvangen en focussen. Alle andere factoren zijn samengevoegd in k1. Die formule toont dus de belangrijkste ontwikkelingsdoelen van lithografiesystemen: kortere golflengtes van licht en grotere openingen van de optica maken fijnere chipstructuren mogelijk.
ASML heeft precies die twee dingen gedaan: EUV-systemen werken met licht van 13,5 nanometer, een grote sprong voorwaarts vergeleken met het licht van 193 nanometer dat voorheen werd gebruikt in het diepe ultravioletproces (DUV-proces). Om die sprong mogelijk te maken, heeft ASML grote delen van het systeem fundamenteel veranderd.
Ten eerste maakt de belichting van de wafers via EUV niet langer gebruik van laserlicht. In plaats daarvan transformeren laserpulsen in een vacuümkamer microscopisch kleine tindruppeltjes in plasma, wat ook wel ionisatie wordt genoemd. Een krachtige laser bestraalt 60.000 van die druppeltjes per seconde, waarbij elke druppel drie laserpulsen krijgt. De eerste puls transformeert de druppel in een platte soort pannenkoek, de tweede maakt die pannenkoek groter en de derde puls transformeert hem in plasma. De pannenkoekvorm is nodig voor de volledige ionisatie van alle tindeeltjes in de druppel. De straling die tijdens het ioniseren wordt geproduceerd heeft een golflengte van 13,5 nanometer.
Aan de andere kant gebruiken EUV-systemen geen lenzen om de bundels te focussen, omdat die de straling van die golflengte zouden absorberen. In plaats daarvan gebruikt ASML gebogen spiegels die speciaal voor dat doel zijn ontwikkeld door Carl Zeiss SMT. In de huidige High-NA-systemen zijn die spiegels zo glad dat hun oppervlakteruwheid slechts enkele tientallen picometers bedraagt en dus kleiner is dan de grootte van een atoom. In de naam High-NA zit nog een andere optie waar ASML gebruik van maakt: de hogere numerieke apertuur vergeleken met de eerste generatie EUV-systemen verbetert de resolutie van het lithografiesysteem aanzienlijk, maar vergt aanzienlijk grotere spiegels met een diameter van ongeveer een meter. De maskers met circuitpatronen worden ook ontworpen als spiegels in het EUV-proces.

Een High-NA-EUV systeem van ASML: modulair, 150 ton zwaar, groter dan een bus en vol componenten die met nanometerprecisie gemaakt zijn. Andere modules zoals de lasermodule en de koeleenheden bevinden zich onder het lithografiesysteem dat in een cleanroom werkt en nemen twee keer zoveel ruimte in als de machine op de foto.
Belangrijk op dit punt: het Rayleigh-criterium geldt voor een enkele belichting van de wafer. Als een wafer in plaats daarvan meerdere keren belicht wordt, kunnen ook fijnere structuren worden gecreëerd door overlappende effecten. Dat betekent dat krachtige en energiezuinige chips ook kunnen worden geproduceerd met DUV-machines. Meerdere belichtingen – ook bekend als multi-patterning – vergen echter aanzienlijk meer tijd dan enkelvoudige belichtingen en leiden tot aanzienlijk meer afgekeurde exemplaren. Dat beperkt de economische productie van chips met hoge prestaties, maar maakt het producerenvan kleine series nog steeds mogelijk. De huidige high-end chips kunnen echter niet meer worden gemaakt met oudere lithografiemachines.
Een microchip bestaat uit enkele tientallen of, afhankelijk van het type, zelfs rond de honderd lagen, Marc Assinck vergelijkt het met een lasagne. Slechts enkele van die lagen bevatten structuren waarvoor EUV-systemen nodig zijn om ze te produceren. Grotere structuren van andere lagen worden nog steeds geproduceerd met DUV-lithografie, wat in de nabije toekomst niet zal veranderen.
ASML is van plan om over een paar jaar 600 DUV- en 110 EUV-machines per jaar te produceren, waarvan 20 High-NA-EUV. DUV-machines van ASML concurreren met die van andere fabrikanten zoals Canon en Nikon. Ze zijn ook onderworpen aan minder strenge exportbeperkingen naar bijvoorbeeld China.

Het Rayleigh-criterium toont de twee belangrijkste factoren voor de miniaturisering van structuren bij het lithografieproces: de golflengte van de straling waarmee de wafer wordt belicht λ en de numerieke apertuur van de optica NA.